快速恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同。它屬于PIN結二極管，即在P型硅材料和N型硅材料之間加入I基，形成PIN硅片。由于PD的主要有源區(qū)是勢壘區(qū)，所以可以通過加寬勢壘區(qū)來提高靈敏度。事實上，PIN快速恢復二極管人為地擴大了PN結勢壘區(qū)的寬度。PIN快速恢復二極管的有效作用面積主要是具有電場的I型層(勢壘面積)，因此產生光生載流子的有效面積增加，擴散的影響減弱，結電容大大減小。因此，其光學檢測的靈敏度和響應速度大大提高。

　　快速恢復二極管的性能特性

　　1、結構特點

　　快速恢復二極管的內部結構與普通二極管不同。在P型和N型硅材料之間添加堿I以形成P-I-N硅芯片。由于基極區(qū)域非常薄，反向恢復電荷非常小，不僅trr值大大降低，而且瞬態(tài)正向壓降也降低，因此管可以承受高反向操作電壓。快速恢復二極管的反向恢復時間通常為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流為幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百至幾千伏特。超快恢復二極管。

　　2、反向恢復時間

　　反向恢復時間(tr)的定義：電流通過零點和正向轉換到指定低值之間的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流整流裝置性能的重要技術指標。反向恢復電流波形如圖1所示。IF是正向電流，IRM是最大反向恢復電流。Irr是反向恢復電流，通常指定Irr=0.1 IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t>t0時，整流器上的正向電壓突然變?yōu)榉聪螂妷海虼苏螂娏餮杆贉p小。當t=t1時，I=0。然后反向電流IR流過整流器，并且IR逐漸增加;在t=t2時達到最大反向恢復電流IRM值。此后，在正向電壓的作用下，反向電流逐漸減小，并在t=t3處達到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程類似于電容器放電過程。

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